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硅光助力新基建 第三屆中國硅光產業論壇圓滿舉辦!

摘要:第三屆中國硅光產業論壇成功舉辦,論壇匯聚產業上下游內容商、設備商及高??蒲写?,以及來自知名硅光企業代表,制造平臺共同探討硅光工藝技術、制造與封測等硅光領域的發展進展。本次會議吸引了來自170余家產業鏈企業,350余名專業嘉賓參與。

  ICC訊 11月12日,第三屆中國硅光產業論壇在武漢成功舉辦,本次會由國家信息光電子創新中心、中國通信學會,中國信科主辦,深圳市訊石信息咨詢有限公司承辦,“中國光谷”國際光電子博覽會協辦,以及獲得了是德科技(中國)有限公司和光電匯的大力支持。論壇匯聚了產業上下游內容商、設備商及高??蒲写?,以及來自知名硅光企業代表,制造平臺共同探討硅光工藝技術、制造與封測等硅光領域的發展進展。次會議吸引了來自170余家產業鏈企業,350余名專業嘉賓參與。

中國通信學會副秘書長 文劍

  中國通信學會副秘書長文劍發表開幕致辭,他表示光通信技術因其超高速率,超大容量,超長傳輸距離,超低串擾的顯著優勢被廣泛應用在信息傳輸,海底通信,數據中心,無線通信等網絡和設備中。信息光電子作為信息通信的心臟,是信息通信的核心和基石。信息通信的發展對光芯片提出了越來越高的要求。其中硅基光電子集成技術是光電子和微電子的新型融合技術,代表了通信技術發展的新方向,硅基光電子芯片既可用于芯片級的光互聯,又可應用于長距離的通信,可實現全功能的光電子集成,具有極高的通用性和兼容性。將在5G、工業互聯網,大數據、超計算,人工智能和量子信息等領域發揮重要作用。

國家信息光電子創新中心總經理 肖希博士

  國家信息光電子創新中心總經理肖希發表《國家信息光電子中心建設進展》的主題報告。他表示,創新中心是作為企業和創新技術之間的橋梁,擁有國際先進的硅光芯片產品中試工藝平臺,先進的光電子封測工藝平臺以及國際先進的“超高速、超大容量、超長跨距”光傳輸技術驗證平臺。已獲得的8個成果,包括國內首款400G硅光相干收發芯片和器件,110 Gbaud LNOI相干調制器,應用于數據中心的100G DR1/400G DR4硅光芯片,5G方面國產5G中傳光收發模塊,8/12寸硅光晶圓自動化測試系統等。

中國信通院技術與標準寬帶網絡研究部主任 趙文玉博士

  中國信通院技術與標準寬帶網絡研究部主任趙文玉發表《高速光模塊發展態勢及硅光應用探討》主題報告,他提到,新基建進一步加速推動光通信技術發展,光模塊市場規模持續增長,接口速率穩步提升。25G量級波特器件已成模塊主流,50G及以上加速發展。超400G速率成為熱點,800G關注度提升。高速模塊基于光子集成趨勢加快。光子集成趨勢明顯,目前中小規模PIC已經成熟并取得廣泛商用。 硅光與III-V族的發展相互影響,二者有各自適用場景但也存在一定交集。硅光產品的年銷售增長率在2019年放緩,但隨著400GbE模塊的開售,2020-2024年將恢復增長勢頭。到2025年,硅光產品銷售額預計將接近60億美元。除了短距400GE DR4等應用,硅光與InP在更長距離的400GbE等高速產品中將持續競爭。

中國電信光傳輸技術首席專家 李俊杰博士

  中國電信光傳輸技術首席專家李俊杰發表《全光網發展對光電子集成技術需求探討》主題報告,李博士首先介紹了光纖的可用波段,同時闡述了中國電信全光網2.0戰略、不同層級的技術路線。骨干網要求提升單波速率擴展單纖容量,擴展頻譜帶寬提升單纖容量。從100G發展到200G/400G/800G,可以從調制碼型、波特率和載波數等多個維度實現。中國電信提出一二干融合ROADM網絡模式,李博士提到骨干光網絡設備面臨的挑戰如設備數量、體積、 重量、能耗、散熱等需求快速增加。光電子集成技術骨干網應用要求高速光模塊小型化,使得100G/400G光模塊體積持續減少、功耗持續降低。

中國移動研究院網絡與IT技術研究所 張德朝

  中國移動研究院網絡與IT技術研究所張德朝講述《5G承載對光模塊和器件的需求情況》,他表示,硅光光模塊正逐步從理想照進現實,硅光助力光模塊實現更高集成度,更小尺寸,更低成功和功耗。同時他還介紹了中國移動骨干網現狀,包括超高速平面、政企專網及高速平面。中國移動已建成全球最大的100G OTN網絡,節點需求已遠超OTN單臺設備能力,機架堆疊及群集方式對機房空間及承載能力帶來很大挑戰。單波載400G是下一代OTN的基礎傳輸速率。從100G提升到400G關鍵技術挑戰,一如調制格式,其直接決定系統的技術方向,收斂調制格式是400G面臨的首要問題。400G高波特率調制格式需研究頻譜擴展技術,業界存在C++、L+等多種方案。二如調制器,400G對調制器要求更為苛刻,硅光、薄膜鈮酸鋰調制器是重點研究方向。三如新型光纖,G.654.E光纖是業界研究的新方向,降低光纖衰耗和非線性,提升無電中繼傳輸距離。四如電芯片和光算法。引入WDM適應5G前傳發展需要。MWDM技術重用CWDM低成本25G DML光芯片產業鏈,支持12波長WDM系統,波道提升一倍。

中國聯通研究院高級工程師 沈世奎博士

  中國聯通研究院高級工程師沈世奎發表《硅光集成技術發展及運營商應用探討》主題報告,光子集成電路(PIC)相對于傳統分立的光電器件,可降低復雜度,提高可靠性,受到了越來越多的關注。硅光集成技術發展趨勢和挑戰主要在于硅光集成工藝,基于標準 CMOS工藝,但是進行了擴展,且工藝制程與微電子不同;硅光器件兩類加工方式并存(自有Fab、開放Fab的MPW),MPW可有效地降低成本和產品開發風險;封裝過程中存在激光器光源集成、光纖耦合以及熱管理等。100G PSM4光模塊是當前硅光集成技術最好的應用,但主要在北美OTT市場。超100G短距互聯,硅光集成具備優勢,是行業熱點。相干方面,硅光集成用于骨干網絡和城域網,國內外已有多家公司量產硅光相干模塊產品,包括CFP2-DC0,QSFP-DD等封裝。發展針對成本敏感、需求量大的城域接入層網絡專門優化的低成本100G光模塊和ROADM技術,硅光集成技術有優勢。沈博士總結到,硅光集成器件的大量應用,也取決于產業鏈,尤其是最終用戶,對技術的開放與接受程度。

海思光電子產品管理總監 梁亦鉑

  海思光電子產品管理總監梁亦鉑發表《數據中心光互連演進及硅光機會與挑戰》主題報告,數通光電技術呈現多元化,若56GB VCSEL無法滿足100m場景,會被單模方案取代;若56GB DML無法滿足2km場景,會被EML替代;相干技術已經覆蓋200GE/400GE 80km,800G節點會進一步下沉到10km。硅光技術在短距并行場景具備架構優勢。硅光做發端,調制器和光源分離,可以實現并行多路的共享光源架構;若插損控制得當,使用1~2個光源實現4路并行是有成本架構優勢;業界400G DR4+一般需要增加光源以滿足2km要求,DR4+相比FR4不具成本優勢,再加上8芯并行光纖的代價,成本高于400G FR4+DLC光纖。

聯合微電子產品管理總監 馮俊波博士

  聯合微電子產品管理總監馮俊波發表《硅基光電子開放平臺》主題報告,馮總首先介紹了8 inch的工藝供應線。他表示氮化硅和硅光集成工藝計劃明年推出,氮化硅是硅光的補充,具有多種優勢。聯合微電子器件庫集成計劃,以器件集成計劃為核心,以自動化設計為方向,以全流程服務為目標。

是德科技光通信資深應用工程師 朱振華

  是德科技光通信資深應用工程師朱振華發表《硅光測試挑戰及解決方案》主題報告,他介紹了硅光面臨的測試過程及問題以及整體光子集成測試方案。他首先闡述了高度集成的硅光器件給測試帶來了巨大挑戰。硅光晶圓/芯片測試的挑戰之一是光學耦合的損耗,第二是偏振對準,偏振相關的測試等。第三是頻域測試中如何去掉探針影響?他表示可以通過過deembedding消除RF探針影響。第四是如何進行快速的自動化測試。朱總還介紹了是德科技的N7700A測試平臺可用于硅光晶圓/芯片的波長域測試方案。



中科院半導體所研究員 李明

  中科院半導體所研究員李明發表《微波光電子芯片及集成》主題報告,他表示微波光子系統的超寬帶優越性已經得到體現,總體發展趨勢與硅光類似,但更具優點。我國高性能微波光子系統應用與國際同步,但缺乏高性能芯片,高端微波光子集成器件幾乎依賴進口,缺乏微波光子集成EDA軟件與加工平臺。李明呼吁建立自立自強、全鏈條研發體系,進一步推動光與微波的高效融合,促進更廣泛的學科交叉融合,重視技術領域的交流合作。

上海交通大學教授 金賢敏

  上海交通大學教授金賢敏發表《三維和高速光子芯片》主題報告,他表示,后摩爾時代的新機遇與新挑戰包括光量子計算、光子計算及光學人工智能處理器等。上海交大集成量子信息技術研究中心發展自主的三維和高速光子芯片,研發算力和功耗遠優于電子計算機的量子計算機、光子計算機和人工智能處理器,創辦了國內首家光量子計算機公司。光量子計算采用高維玻色采樣量子計算。

上海大學教授 胡挺

  上海大學教授胡挺發表《Driving Flat Optics from Lab to Fab》主題報告,胡教授首先介紹了Flat Optics的背景知識,以及其工作原理和優缺點。他表示,Flat Optics具有超薄,小型化,亞波長相位控制,消色可能性,Pixel-level 可控性/可調性,CMOS兼容工藝,晶圓級包裝的可能性的特點。同時胡教授也介紹了通過CMOS兼容平臺在12英寸晶圓上演示Flat Optics。最后胡教授講述了在12英寸平臺上IEM的 Flat Optics的發展現狀。

橙科微電子市場總監 潘朝

  橙科微電子市場總監潘朝發表《全集成高速DSP芯片》主題報告,他預測2020~2024全球光網絡收發芯片的年復合增長率為20%。高階調節方式(PAM4)已經成為以太網傳輸基礎,目前國內光芯片/電芯片國產化能力較弱。橙科微電子的50G PAM4 全集成DSP產品和解決方案,該解決方案具有高擺幅激光器驅動能力特點,同時具有降低BOM成本優勢。其25G NRZ CDR產品和解決方案,具有CMOS工藝、工業級溫度、NRZ CDR集成Laser Driver等特點。硅光產品將在未來五年迎來迅猛發展,作為電芯片企業,橙科微電子希望與硅光產品企業合作。

亨通洛克利CTO 陳奔博士

  亨通洛克利CTO陳奔發表《硅光板上光互聯技術及路徑》主題報告,光模塊功效、成本已經開始成為通信網絡發展的主導。光子集成趕不上電子集成的步伐。電通道實際上成為瓶頸,集成硅光子技術簡化電通道。光互聯市場交換機的進化,其換代周期大概是18到24個月,51T交換機將使用400G和800G光模塊。亨通洛克利采用全方位優化策略,優化成本、密度、功耗及惰性等問題。光電協同組裝極大地簡化了電通道。在保證光模塊高速率前提下減少通道間隔,注意通道間串擾及噪音問題。

國科光芯董事長 劉敬偉

  國科光芯董事長劉敬偉發表《硅光芯片在激光雷達中的應用和思考》主題報告,他首先介紹了硅光芯片在激光雷達中的應用。硅光芯片在激光雷達中的應用的本質是什么?將包含發射、準直、掃描、濾波、接收、對準、耦合、探測等一系列復雜元件的激光雷達系統,集 成于一顆硅光芯片,用成熟經濟的CMOS工藝進行加工,在實現很低成本的同時獲得卓越性能。硅光自動駕駛激光雷達具有成本優勢,批量化成本小于500人民幣。硅光自動駕駛激光雷達具有全固態,無任何機械移動部件;可以快速掃描,對任意感興趣的區域進行探測,幾乎無盲區,在遠距離的情況下也能達到高精度,具備4D探測,高靈敏度,抗干擾能力強等優勢。硅光激光雷達除了應用于自動駕駛還可以應用于工業/安防,AR/VR,商用機器人,服務型機器人,消費級3D傳感器等。硅光激光雷達適用400nm-2000nm的激光。

旭創科技研究院院長 鄭學哲博士

  旭創科技研究院院長鄭學哲發表《CPO,a Wheel to Reinvent》主題報告,旭創科技主要核心競爭力包括非氣密&氣密封裝、單多模并行光學設計、高速數模電路設計及自主開發的測試平臺及智能化生產線等。為了跟上ASIC的規模,需要改造CPO,小型可插拔模塊不可能支持1.6T以上。合適的技術平臺至關重要,硅光學前景廣闊。仍然有許多挑戰,FRU離包激光光源,大端口計數光纖I/O,回流兼容2.5/3D OE集成,超高速OE器件,更有效的調制格式,熱管理等。新的商業模式可能正在出現,整合/垂直整合發生在系統和商用ASIC供應商之間。

  華進半導體研發技術總監劉豐滿發表《高密度封裝-硅基光電子混合集成的核心技術》主題報告,高密度封裝是功能集成的重要路徑之一,用于芯片尺寸微縮的制造工藝受到物理極限的限制,業界通過晶體管結構不斷演變以及引進新的溝道材料,延續摩爾定律;另一方面,系統級封裝(SiP)是一種非尺寸依賴技術,通過不同工藝節點、不同材料、不 同功能的芯片整合在一起,實現功能集成,被業界視為后摩爾時代的核心技術與集成方案;芯片與系統封裝兩種系統集成路徑協同發展,共同解決系統集成的功能、功耗以及成本的問題。

魔技納米技術總監 朱林偉

  魔技納米技術總監朱林偉發表《跨尺度微納三維光刻技術及其在硅光集成中的應用》主題報告,微納制作主要用于宏觀尺寸加工。魔技納米將做芯片的技術用在三維制造上。具備納米級高精度及三維制造能力,適用于對加工精度要求極高的領域,主要應用于新材料(超材料、隱形材料、可復原材料等),微納器件,新能源,航空航天,微流控,硅光芯片集成等。

  論壇最后,多位專家共同組成了硅光產業鏈話題討論,由國家信息光電子創新中心傅焰峰博士主持,中國聯通研究院高級工程師沈世奎,微電子所李志華,聯合微電子產品管理總監馮俊波,雷神科技胡天琦,光梓科技史方,伽藍特林小龍六位專家擔任話題討論嘉賓。圍繞硅光PIC生態系統建設與發展話題展開討論,詳細內容請關注訊石會后相關報道。

  會議至此,圓滿結束!

內容來自:訊石光通訊咨詢網
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關鍵字: 硅光芯片
文章標題:硅光助力新基建 第三屆中國硅光產業論壇圓滿舉辦!
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